一（yī）、中（zhōng）国半导（dǎo）体器件（jiàn）型号命名（míng）方法（fǎ）
半导体器（qì）件型号由五部（bù）分（场（chǎng）效应器件、半导体特殊器（qì）件、复合管、PIN型管、激光器件的（de）型（xíng）号命名（míng）只有第三、四（sì）、五部（bù）分）组成。

五（wǔ）个（gè）部分意（yì）义如下：

第一部分（fèn）：用数字（zì）表（biǎo）示（shì）半（bàn）导（dǎo）体器（qì）件有效（xiào）电极数目。2-二极管、3-三极管
第二（èr）部（bù）分：用汉语拼音字母表示（shì）半导（dǎo）体器件的材料（liào）和（hé）极性（xìng）。

1、表示二极管时：A-N型（xíng）锗材料、B-P型（xíng）锗材料（liào）、C-N型（xíng）硅材料、D-P型硅（guī）材料。

2、表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材（cái）料、D-NPN型硅材（cái）料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半（bàn）导体器件的（de）内型。

P-普通管、

V-微（wēi）波管、W-稳压管、C-参（cān）量（liàng）管（guǎn）、

Z-整（zhěng）流管、L-整流堆、S-隧道管、

N-阻尼（ní）管、U-光电器（qì）件、K-开关（guān）管、

X-低频（pín）小功（gōng）率（lǜ）管(F<3MHz,Pc<1W)、

G-高（gāo）频（pín）小功（gōng）率管（f>3MHz,Pc<1W)、

D-低频（pín）大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、

A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、

T-半导（dǎo）体晶闸（zhá）管（guǎn）（可控整（zhěng）流（liú）器）、

Y-体效应器件、B-雪崩管（guǎn）、J-阶跃恢复管、

CS-场（chǎng）效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、

PIN-PIN型管、JG-激（jī）光器件。

二、日本半导体（tǐ）分立器（qì）件型（xíng）号命名方法
    日（rì）本生产的半（bàn）导体分立器件，由五至七部分组成。通（tōng）常只用到前五个（gè）部分，其各部分（fèn）的符号意义（yì）如下：
第一部分（fèn）：用数字（zì）表示器件有效电极数目或类型。

0-光电（即光敏）二（èr）极管三极管及上述器件的组（zǔ）合管、

1-二极管、

2三（sān）极（jí）或具有两个pn结的其他器件、

3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其（qí）他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工（gōng）业协会JEIA注册标志（zhì）。

S-表示已在日本电子工业（yè）协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第（dì）三部分（fèn）：用字母表示器件使用材料极性和类型。

A-PNP型高频管、

B-PNP型低频管（guǎn）、

C-NPN型（xíng）高频管、

D-NPN型低频管、

F-P控制极可控硅、

G-N控（kòng）制极可（kě）控硅、

H-N基极单结（jié）晶（jīng）体管、

J-P沟道场效应管、

K-N 沟道（dào）场效应管、

M-双向可控硅。
第四部分：用数字表示在日本电子工业（yè）协会（huì）JEIA登记的顺序（xù）号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序（xù）号；不同公司的性能相（xiàng）同的器件可以使用同一顺序号；数（shù）字越大（dà），越（yuè）是（shì）近期产（chǎn）品。
第五部分：用字母表（biǎo）示同（tóng）一型（xíng）号（hào）的改（gǎi）进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件（jiàn）是原型（xíng）号产品的改进产品。

三、美国半导（dǎo）体分立器（qì）件型（xíng）号命名方法
    美国晶体（tǐ）管或其他半导体器（qì）件（jiàn）的命名法较混乱。美国（guó）电子工业（yè）协会半导体分立器件（jiàn）命名（míng）方（fāng）法如（rú）下：
第（dì）一部（bù）分：用符号表示器件（jiàn）用途的类型（xíng）。

JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特（tè）军级（jí）、JANS-宇航级、（无）-非军用品。
第（dì）二（èr）部（bù）分（fèn）：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。
第三部分：美国电子工业协会（huì）（EIA）注册标志（zhì）。N-该器件已在美（měi）国电（diàn）子工业（yè）协会（EIA）注册登记。
第四部分：美国电子（zǐ）工业（yè）协会（huì）登记顺（shùn）序号（hào）。多位数字-该器件在美国电子工（gōng）业协（xié）会登（dēng）记的顺序（xù）号（hào）。
第五（wǔ）部分：用字（zì）母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同（tóng）一（yī）型（xíng）号（hào）器（qì）件的不（bú）同（tóng）档（dàng）别（bié）。

如：JAN2N3251A表示PNP硅（guī）高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管（guǎn）、N-EIA 注（zhù）册标志、3251-EIA登记（jì）顺序（xù）号（hào）、A-2N3251A档（dàng）。

四、国（guó）际（jì）电子联合会半导体器件型号命名方（fāng）法
    德（dé）国、法国、意大（dà）利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫（fū）、波兰等（děng）东欧国家，大都采用国（guó）际（jì）电子（zǐ）联合（hé）会半导体（tǐ）分立器件型号命名方（fāng）法。这种命名方法由四（sì）个基本部分组成，各部分的符号（hào）及（jí）意（yì）义如下：
第一部分：用字母表示（shì）器件使用的材料（liào）。

A-器件使用（yòng）材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如（rú）锗、B-器件使（shǐ）用材料（liào）的Eg=1.0~1.3eV 如硅（guī）、C-器件（jiàn）使用材料的Eg>1.3eV 如砷化（huà）镓、D-器（qì）件使（shǐ）用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复（fù）合材料及光电池使用的材料
第二部分：用字母表（biǎo）示（shì）器件的类型及（jí）主要特征。

A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频（pín）小功（gōng）率三极管、

D-低频大功率三极管、E-隧（suì）道（dào）二极管、F-高频小功率（lǜ）三极（jí）管、

G-复合（hé）器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、

L-高频大功率三（sān）极管、M-封闭磁路中的霍尔元件（jiàn）、

P-光敏器件（jiàn）、Q-发光（guāng）器件、R-小功率（lǜ）晶闸（zhá）管、S-小（xiǎo）功率（lǜ）开（kāi）关（guān）管、

T-大功率晶闸管、U-大功率开（kāi）关管、X-倍增二极管、

Y-整流（liú）二极管、Z-稳压二极（jí）管。
第（dì）三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数（shù）字-代表通用半导体（tǐ）器件的登记序号、一个字母加二（èr）位数字-表示专用半导体器（qì）件的登记（jì）序号。
第四（sì）部分：用（yòng）字母对同一类型号器件进（jìn）行分档（dàng）。A、B、C、D、E┄┄-表示同一（yī）型号的（de）器件按某一（yī）参数进行分档的（de）标志。
除四个基（jī）本（běn）部（bù）分外，有（yǒu）时还加后缀，以（yǐ）区别（bié）特（tè）性或进一步分类。常见后缀如下：
1、稳压二极（jí）管型号的后（hòu）缀。其后（hòu）缀（zhuì）的第一（yī）部分是一（yī）个字母，表示稳定电压（yā）值的容许（xǔ）误差范（fàn）围，字母A、B、C、D、E分（fèn）别表示容许误差（chà）为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后（hòu）缀（zhuì）第二部分是数字，表示标（biāo）称稳定电压的整数数值；后（hòu）缀的（de）第三（sān）部分是字母V，代表小数（shù）点，字母V之（zhī）后的（de）数（shù）字为稳压管标（biāo）称稳（wěn）定电压的小数值。
2、整流二极管后（hòu）缀是数（shù）字，表示器件的最大（dà）反向峰值耐压值，单位是（shì）伏特。
3、晶闸管型（xíng）号的后缀也（yě）是数字（zì），通常标出最大反向峰（fēng）值耐压值和最（zuì）大反向关断电压（yā）中数值（zhí）较小的那个电压值。
如（rú）：BDX51-表示（shì）NPN硅（guī）低频大功率三极（jí）管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。

五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法

欧洲有些国家，如（rú）德国、荷兰采用如下命名方法（fǎ）：
第（dì）一部分：O-表示（shì）半导体器（qì）件
第二部分：A-二极（jí）管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三（sān）极管、AZ-稳（wěn）压（yā）管、RP-光电器件。
第三部分：多（duō）位数字（zì）-表示器件的登（dēng）记序号。
第（dì）四部分：A、B、C┄┄-表示（shì）同一（yī）型号器件的变型（xíng）产品。
俄罗（luó）斯（sī）半导体器件型号命（mìng）名法由于（yú）使用少，在此不（bú）介绍。